单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MESH OVERLAY™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V200 V250 V400 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）2.5A（Tc）5.2A（Tc）9A（Tc）10A（Tc）11A（Tc）14A（Tc）18A（Tc）19A（Tc）28A（Tc）40A（Tc）42A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
36 毫欧 @ 22A，10V60 毫欧 @ 24A，10V77 毫欧 @ 17A，10V150 毫欧 @ 11A，10V200 毫欧 @ 11A，10V280 毫欧 @ 8.4A，10V400 毫欧 @ 4.5A，10V400 毫欧 @ 5.4A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V550 毫欧 @ 6A，10V600 毫欧 @ 600mA，10V800 毫欧 @ 3.1A，10V3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V18 nC @ 10 V24 nC @ 10 V43 nC @ 10 V44 nC @ 10 V45 nC @ 10 V61 nC @ 10 V63 nC @ 10 V67 nC @ 10 V68 nC @ 10 V72 nC @ 10 V110 nC @ 10 V180 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
260 pF @ 25 V360 pF @ 25 V390 pF @ 25 V700 pF @ 25 V800 pF @ 25 V1160 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1300 pF @ 25 V1400 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V1900 pF @ 25 V2700 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）3.8W（Ta），160W（Tc）50W（Tc）74W（Tc）75W（Tc）125W（Tc）150W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-HVMDIPD2PAKTO-220TO-220AB
封装/外壳
4-DIP（0.300"，7.62mm）TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
53,163
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
26,202
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Vishay Siliconix
33,390
现货
1 : ¥11.90000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
10V
77 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
1,360
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
10A（Tc）
10V
550 毫欧 @ 6A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
3,166
现货
1 : ¥16.99000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
19A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Infineon Technologies
3,449
现货
1 : ¥19.79000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 24A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Vishay Siliconix
227
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.2A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 3.1A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF820PBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB
Vishay Siliconix
1,343
现货
1 : ¥11.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
2.5A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
360 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Vishay Siliconix
5,210
现货
1 : ¥12.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 5.4A，10V
4V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
IRF630
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
STMicroelectronics
13,379
现货
1 : ¥12.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
9A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 4.5A，10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRF644PBF
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
1,286
现货
1 : ¥13.63000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
14A（Tc）
10V
280 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1310NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Infineon Technologies
9,565
现货
1 : ¥16.67000
剪切带（CT）
800 : ¥9.33648
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
42A（Tc）
10V
36 毫欧 @ 22A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），160W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
4-DIP
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
46,921
现货
1 : ¥12.40000
管件
-
管件
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
10V
600 毫欧 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。