单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）210mA（Ta）6A（Ta）6.2A（Ta）8A（Ta），19A（Tc）12A（Tc）14A（Ta），54A（Tc）29.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 12A，4.5V13.5 毫欧 @ 7A，4.5V14.5 毫欧 @ 8A，4.5V21毫欧 @ 6A，10V23 毫欧 @ 8A，10V26.5 毫欧 @ 5A，10V35 毫欧 @ 5.3A，10V36 毫欧 @ 4.6A，4.5V47 毫欧 @ 4.4A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 1mA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V14.4 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V29 nC @ 10 V35 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V80 nC @ 8 V90 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
38 pF @ 25 V50 pF @ 25 V435 pF @ 15 V582 pF @ 20 V890 pF @ 20 V950 pF @ 15 V1020 pF @ 15 V1537 pF @ 10 V2340 pF @ 10 V2880 pF @ 6 V6909 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）340mW（Ta）510mW（Ta），6.94W（Tc）660mW（Ta）2.3W（Ta），15W（Tc）2.4W（Ta），41W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）15.6W（Tc）19W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN2020MD-6POWERDI3333-8PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6 单SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236ABU-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
135,414
现货
996,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
169,838
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85183
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP2008UFG-7
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Diodes Incorporated
32,779
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.60590
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta），54A（Tc）
1.5V，4.5V
8 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
72 nC @ 4.5 V
±8V
6909 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
45,483
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.82237
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
47 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
172,448
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79020
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
87,925
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08064
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
12A（Tc）
1.5V，4.5V
13.5 毫欧 @ 7A，4.5V
850mV @ 250µA
80 nC @ 8 V
±8V
2880 pF @ 6 V
-
19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D23-40EX
MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Nexperia USA Inc.
10,977
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11055
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8A（Ta），19A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 8A，10V
2.7V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
582 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），15W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
112,041
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65944
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
210mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
U-DFN2020-6 Type E
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
1,618
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15579
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.2A（Ta）
1.8V，4.5V
36 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4 nC @ 4.5 V
±12V
1537 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
Vishay Siliconix
4,962
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.07373
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
29.7A（Tc）
1.5V，4.5V
14.5 毫欧 @ 8A，4.5V
900mV @ 250µA
90 nC @ 8 V
±8V
2340 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
55,812
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97608
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 5.3A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。