单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Tc）30A（Tc）33.6A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 25A，10V16 毫欧 @ 14.4A，10V30 毫欧 @ 8A，10V92 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V50 nC @ 5 V68 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
280 pF @ 25 V3800 pF @ 25 V4710 pF @ 30 V7853 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）68W（Tc）83W（Tc）238W（Tc）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-100，SOT-669
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y4R8-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
16,707
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
1,500 : ¥7.74071
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V
4.1 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
50 nC @ 5 V
±10V
7853 pF @ 25 V
-
238W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,098
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 14.4A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak® SO-8
SQJ211ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,905
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20427
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
33.6A（Tc）
-
30 毫欧 @ 8A，10V
2.5V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJA68EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
2,278
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.26160
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
14A（Tc）
4.5V，10V
92 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。