单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™OptiMOS™ThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V80 V250 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）24.2A（Tc）31.2A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V43 毫欧 @ 3A，10V63 毫欧 @ 10A，10V110 毫欧 @ 12.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 279µA4V @ 250µA4.5V @ 1.3mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V30 nC @ 7.5 V118 nC @ 10 V222 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 10 V1405 pF @ 125 V3240 pF @ 100 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）104W（Tc）277.8W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-CPHPG-TO247-3PG-TO263-7PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SOT-23-6TO-247-3TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-7, D2Pak
IPB015N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Infineon Technologies
950
现货
1 : ¥56.98000
剪切带（CT）
1,000 : ¥32.33320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
180A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 279µA
222 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6350-TL-W
MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
onsemi
9,516
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.21572
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4V，10V
43 毫欧 @ 3A，10V
-
13 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-CPH
SOT-23-6
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R110CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Infineon Technologies
240
现货
1 : ¥50.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
31.2A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 12.7A，10V
4.5V @ 1.3mA
118 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 100 V
-
277.8W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
98
现货
1 : ¥14.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.35784
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
24.2A（Tc）
7.5V，10V
63 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 7.5 V
±20V
1405 pF @ 125 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。