单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPConsemiTexas Instruments
系列
eGaN®NexFET™QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）11.5A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8mOhm @ 18A，10V470 毫欧 @ 5.75A，10V3.3 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 20µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V20 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.4 pF @ 50 V1200 pF @ 25 V1500 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），120W（Tc）3.2W（Ta），116W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）TO-263（D2PAK）模具
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
80,617
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
500mA（Ta）
5V
3.3 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 20µA
0.044 nC @ 5 V
+6V，-4V
8.4 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
8-Power TDFN
CSD18563Q5AT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
19,030
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
250 : ¥5.73668
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
6.8mOhm @ 18A，10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），116W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
TO-263
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥16.09000
剪切带（CT）
800 : ¥9.00340
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11.5A（Tc）
10V
470 毫欧 @ 5.75A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），120W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。