单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedMicro Commercial CoonsemiRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaMOSNexFET™TrenchFET®TrenchFET® Gen IIIU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）270mA（Ta）380mA（Ta）500mA（Ta）1.3A（Ta）4A（Ta）21A（Ta），34A（Tc）23.5A（Ta），100A（Tc）25A（Ta），28A（Tc）35.1A（Ta），127.5A（Tc）40.2A（Ta），263A（Tc）50A50A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.5V，4V2.7V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 毫欧 @ 23A，10V1.6 毫欧 @ 25A，10V1.7 毫欧 @ 30A，4.5V1.95 毫欧 @ 25A，10V2.7 毫欧 @ 15A，10V3.1 毫欧 @ 20A，10V5.1 毫欧 @ 20A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V5.5 毫欧 @ 20A，10V7.8 毫欧 @ 20A，10V55 毫欧 @ 4A，10V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.9V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V1.15 nC @ 5 V1.3 nC @ 5 V4.34 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V21.5 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V70 nC @ 10 V111.7 nC @ 10 V135 nC @ 10 V182 nC @ 5 V217 nC @ 4.5 V236 nC @ 8 V585 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V21 pF @ 5 V33 pF @ 5 V50 pF @ 25 V162 pF @ 10 V390 pF @ 15 V1128 pF @ 15 V2830 pF @ 15 V3252 pF @ 15 V5125 pF @ 15 V6464 pF @ 15 V7080 pF @ 10 V10900 pF @ 10 V14950 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）330mW（Ta）370mW（Ta）500mW（Ta）690mW（Ta）1.4W（Ta）3.1W（Ta）3.3W（Ta），138.9W（Tc）5W（Ta），24W（Tc）5W（Ta），30W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）5W（Ta），65.8W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）78W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-DFN-EP（3x3）8-DFN（5x6）8-SOP Advance（5x5）8-VSONP（5x6）DFN5060EMT3F（SOT-416FL）PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SC-70-3（SOT323）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerTDFN，5 引线8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
319,082
现货
4,401,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
286,720
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51312
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
162,400
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20595
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON6558
MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
56,737
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.39428
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta），28A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1128 pF @ 15 V
-
5W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
8-DFN
AONR21357
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,597
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.99257
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
7.8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
5W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,622
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
16,321
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.48707
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，4.5V
1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
1.2V @ 1mA
182 nC @ 5 V
±12V
10900 pF @ 10 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PowerPAK SO-8
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,468
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.18853
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.95 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
585 nC @ 10 V
±12V
20000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
2,840
现货
24,000
工厂
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
1,500 : ¥13.09469
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40.2A（Ta），263A（Tc）
4.5V，10V
1.4 毫欧 @ 23A，10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W（Ta），138.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
30,762
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
270mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
33 pF @ 5 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
EMT3F
RE1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
22,065
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
AO3402
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
12,445
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80150
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
55 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
4.34 nC @ 4.5 V
±12V
390 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
DFN5060
MCAC50P03B-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
9,502
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.95468
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 20A，10V
2.8V @ 250µA
111.7 nC @ 10 V
±25V
6464 pF @ 15 V
-
83W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Vishay Siliconix
39,795
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.28239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
35.1A（Ta），127.5A（Tc）
2.5V，10V
2.7 毫欧 @ 15A，10V
1.5V @ 250µA
236 nC @ 8 V
±12V
7080 pF @ 10 V
-
5W（Ta），65.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,056
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.04806
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，10V
1.6 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
625 nC @ 10 V
±12V
22000 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
CSD17553Q5A
MOSFET N-CH 30V 23.5A/100A 8VSON
Texas Instruments
8,636
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.54624
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
23.5A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.1 毫欧 @ 20A，10V
1.9V @ 250µA
21.5 nC @ 4.5 V
±20V
3252 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。