单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）7.6A（Ta）8.4A（Ta），32A（Tc）16A（Tc）17A（Tc）21A（Ta）21A（Ta），78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 35A，10V9.5 毫欧 @ 10A，10V27 毫欧 @ 8.4A，10V29 毫欧 @ 7.6A，10V35 毫欧 @ 7.6A，10V81 毫欧 @ 17A，10V260 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 10 V7 nC @ 5 V20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V27 nC @ 5 V30.5 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V462 pF @ 15 V620 pF @ 25 V1025 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V2380 pF @ 20 V
FET 功能
-肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）3W（Ta），18W（Tc）3.6W（Ta），50W（Tc）28W（Ta）41W（Tc）69W（Tc）71W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）8-SOIC8-WDFN（3.3x3.3）DPAKPowerPAK® 1212-8TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD4685
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
onsemi
10,255
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86133
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.4A（Ta），32A（Tc）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 8.4A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2380 pF @ 20 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,618
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28575
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
29 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-WDFN
NVTFS5124PLTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
onsemi
2,835
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.70515
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
260 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
3W（Ta），18W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
onsemi
12,753
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.05995
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
81 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,764
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.91421
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
16A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
2.3V @ 250µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 15 V
肖特基二极管（体）
41W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
942
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.89491
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-252AA
FDD6630A
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
35 毫欧 @ 7.6A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
462 pF @ 15 V
-
28W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。