单 FET，MOSFET

结果 : 17
制造商
Diodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicrochip TechnologyonsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageUMWYAGEO XSEMI
系列
-CoolMOS™ P7eGaN®MDmesh™ M2PowerTrench®SIPMOS®U-MOSVIII-HUMWXP60PN72
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V200 V240 V350 V450 V500 V600 V650 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA（Ta）50mA（Ta）53mA（Ta）85mA（Tj）160mA（Tj）250mA（Tc）480mA（Ta）600mA（Ta）600mA（Tc）1A（Tj）2.3A（Tc）2.5A（Ta）3A（Tc）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3.3V，10V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 8.8A，10V69 毫欧 @ 2A，10V95 毫欧 @ 3.8A，10V100 毫欧 @ 3A，5V900 毫欧 @ 430mA，4.5V1.8 欧姆 @ 1A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 300mA，10V11 欧姆 @ 500mA，10V21 欧姆 @ 300mA，10V30 欧姆 @ 100mA，10V30 欧姆 @ 200mA，10V72 欧姆 @ 50mA，10V150 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 1mA2.5V @ 100µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA2.6V @ 8µA3V @ 250µA3.5V @ 1mA3.5V @ 30µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.65 nC @ 10 V1 nC @ 10 V1.08 nC @ 10 V1.3 nC @ 5 V1.8 nC @ 10 V3.1 nC @ 4.5 V3.2 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 10 V3.8 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5 nC @ 10 V6.6 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V±16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 25 V21.8 pF @ 25 V28 pF @ 25 V59.2 pF @ 25 V64 pF @ 100 V110 pF @ 25 V130 pF @ 400 V140 pF @ 100 V150 pF @ 25 V155 pF @ 100 V175 pF @ 16 V188 pF @ 25 V190 pF @ 25 V254 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）500mW（Ta）550mW（Ta）610mW（Ta）650mW（Ta）760mW（Ta）1W（Ta）1.6W（Ta）2.5W（Ta）6W（Tc）12.5W（Tc）13.9W（Tc）22W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOICPG-SOT-23-3PG-SOT223PG-SOT23PowerFlat™（3.3x3.3）SOT-223SOT-223-3SOT-23SOT-23-3TO-236AB（SOT23）TO-243AA（SOT-89）UFM模具
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AATO-261-4，TO-261AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
显示
/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,359
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83557
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21mA（Ta）
4.5V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
2.6V @ 8µA
1 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
522,532
现货
528,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57758
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT23 PKG
TP5335K1-G
MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB
Microchip Technology
27,668
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.94051
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
85mA（Tj）
4.5V，10V
30 欧姆 @ 200mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
110 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
TO-236AB（SOT23）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
20,259
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.13148
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8.8A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
C04-029 MB
VP2450N8-G
MOSFET P-CH 500V 160MA TO243AA
Microchip Technology
4,894
现货
1 : ¥17.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.29915
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
160mA（Tj）
4.5V，10V
30 欧姆 @ 100mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
190 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
7,350
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.80705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
955,136
现货
435,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32203
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Diodes Incorporated
183,788
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54776
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50mA（Ta）
5V，10V
160 欧姆 @ 16mA，10V
4.5V @ 250µA
1.08 nC @ 10 V
±20V
21.8 pF @ 25 V
-
610mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8,681
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.19854
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
175°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
BSS127IXTSA1
BSS127IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Infineon Technologies
6,456
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63053
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21mA（Ta）
4.5V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
2.6V @ 8µA
0.65 nC @ 10 V
±20V
21 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMP45H150DHE-13
MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
Diodes Incorporated
6,149
现货
107,500
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.35018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
250mA（Tc）
10V
150 欧姆 @ 50mA，10V
4V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±30V
59.2 pF @ 25 V
-
13.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-23-3
DMN24H3D5L-7
MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23
Diodes Incorporated
6,569
现货
177,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
480mA（Ta）
3.3V，10V
3.5 欧姆 @ 300mA，10V
2.5V @ 250µA
6.6 nC @ 10 V
±20V
188 pF @ 25 V
-
760mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-SOT223
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Infineon Technologies
8,543
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.61067
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
3A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±16V
130 pF @ 400 V
-
6W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
DMP45H21DHE-13
MOSFET P-CH 450V 600MA SOT223
Diodes Incorporated
4,951
现货
2,500
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.86326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
600mA（Tc）
10V
21 欧姆 @ 300mA，10V
5V @ 250µA
4.2 nC @ 10 V
±30V
1003 pF @ 25 V
-
12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8PowerVDFN
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,659
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.26858
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
2.3A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±25V
155 pF @ 100 V
-
22W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
1N60G
1N60G
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS
UMW
2,420
现货
1 : ¥4.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.56757
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1A（Tj）
10V
11 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
4.8 nC @ 10 V
±30V
150 pF @ 25 V
-
-
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
XP60PN72RLEN
XP60PN72RLEN
MOSFET N-CH 600V 53MA SOT23
YAGEO XSEMI
910
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89045
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
53mA（Ta）
4.5V，10V
72 欧姆 @ 50mA，10V
2.6V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
64 pF @ 100 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 17

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。