单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V50 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）130mA（Ta）150mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）1A（Ta）9.6A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V2.75V，5V4.5V，10V5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 9.6A，10V630 毫欧 @ 1A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V4 欧姆 @ 400mA，4.5V6 欧姆 @ 120mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V10 欧姆 @ 130mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA1.5V @ 1mA2V @ 1mA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA2.9V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V6 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V40 pF @ 25 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V100 pF @ 50 V2715 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）250mW（Tc）350mW（Ta）370mW（Ta）1.4W（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
447,290
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
320,582
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 120mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
223,326
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43244
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
477,839
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
257,837
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84346
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
4.5V，10V
630 毫欧 @ 1A，10V
2.9V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 50 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
8-PQFN
FDMS86200
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
onsemi
11,901
现货
1 : ¥20.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.17717
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
9.6A（Ta），35A（Tc）
6V，10V
18 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2715 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48375
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.75V，5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。