Name: FDMS86200
Brand: onsemi
SKU: FDMS86200TR-ND
Price: 29.11 CNY
Availability: InStock

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FDMS86200
DigiKey 零件编号	FDMS86200TR-ND - 卷带（TR） FDMS86200CT-ND - 剪切带（CT） FDMS86200DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDMS86200
描述	MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
原厂标准交货期	48 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 150 V 9.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDMS86200 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 46 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2715 pF @ 75 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），104W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 150 V	供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.6A（Ta），35A（Tc）	封装/外壳 8-PowerTDFN
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V	基本产品编号 FDMS86
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 18 毫欧 @ 9.6A，10V