单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A（Ta）3.8A（Ta）6.2A（Ta）8.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 4A，10V40 毫欧 @ 3.8A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V295 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V18.4 nC @ 10 V42 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
85 pF @ 25 V870 pF @ 25 V873 pF @ 15 V1190 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）900mW（Ta）1W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PowerPAK® 1212-8SOT-223SOT-23-3
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
215,720
现货
5,766,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83182
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
2.5V，10V
25 毫欧 @ 4A，10V
1.8V @ 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
144,721
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80298
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
IRLL2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Infineon Technologies
2,856
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94396
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
3.8A（Ta）
4V，10V
40 毫欧 @ 3.8A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±16V
870 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK 1212-8
SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,708
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8.9A（Tc）
6V，10V
295 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。