单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCInfineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-eGaN®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）34A（Tc）64A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 30A，5V32 毫欧 @ 34A，10V3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA2.5V @ 13mA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 5 V29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1 pF @ 10 V2350 pF @ 100 V3931 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）136W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3VMT3模具
封装/外壳
SOT-723TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
723,805
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34652
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.2V，4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
TO252-3
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Infineon Technologies
1,186
现货
1 : ¥25.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.48432
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
34A（Tc）
10V
32 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
3,899
现货
1 : ¥54.51000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.17103
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
64A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 30A，5V
2.5V @ 13mA
26 nC @ 5 V
+6V，-4V
3931 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。