单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta），72A（Tc）53.7A（Tc）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V46.8 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1949 pF @ 40 V2051 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.6W（Ta），136W（Tc）3.1W（Ta）
供应商器件封装
Accelerometer，3 Axis，ImpactPowerDI5060-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DMPH4015SPSQ-13
DMTH8012LPSQ-13
MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Diodes Incorporated
4,393
现货
862,500
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.97093
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
10A（Ta），72A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
46.8 nC @ 10 V
±20V
2051 pF @ 40 V
-
2.6W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
14 Power
DMTH8012LPSW-13
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Diodes Incorporated
2,395
现货
2,500
工厂
1 : ¥7.63000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.90066
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
53.7A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1949 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Accelerometer，3 Axis，Impact
8-PowerTDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。