Name: DMTH8012LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8012LPSW-13TR-ND
Price: 7.63 CNY
Availability: InStock

DMTH8012LPSW-13
DigiKey 零件编号	31-DMTH8012LPSW-13TR-ND - 卷带（TR） 31-DMTH8012LPSW-13CT-ND - 剪切带（CT） 31-DMTH8012LPSW-13DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMTH8012LPSW-13
描述	MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
原厂标准交货期	8 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 53.7A（Tc） 3.1W（Ta） Accelerometer，3 Axis，Impact
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	53.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	17 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1949 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Accelerometer，3 Axis，Impact
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	DMTH8012

DMTH8012LPSW-13