单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 5.1A，4.5V366 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.96 nC @ 4.5 V24 nC @ 8 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 10 V860 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）2W（Ta），3.5W（Tc）
供应商器件封装
6-TSOPX2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XFDFN
DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Diodes Incorporated
23,666
现货
130,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.46037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
500mA（Ta）
1.5V，4.5V
366 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.96 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
Pkg 5540
SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
3,556
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
8A（Tc）
1.8V，4.5V
27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
1V @ 250µA
24 nC @ 8 V
±8V
860 pF @ 10 V
-
2W（Ta），3.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。