单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCInfineon Technologies
系列
CoolMOS™ CEeGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）5A（Tc）102A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 32A，5V100 毫欧 @ 3A，5V1.5 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.5V @ 8mA3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.3 nC @ 5 V9.4 nC @ 10 V24 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
140 pF @ 100 V200 pF @ 100 V3195 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
49W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）PG-TO252-3模具
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Infineon Technologies
6,586
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.95320
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
5A（Tc）
10V
1.5 欧姆 @ 1.1A，10V
3.5V @ 90µA
9.4 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 100 V
-
49W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
7,304
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.80774
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
5A（Ta）
5V
100 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1mA
1.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
140 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
34,734
现货
1 : ¥69.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.71270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
102A（Ta）
5V
3.1 毫欧 @ 32A，5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V，-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。