单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®ThunderFET®TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V60 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）470mA（Ta）1.7A（Ta）3.8A（Ta）6A（Ta）6.5A（Tc）8.5A（Ta），45A（Tc）12A（Ta）12A（Ta），14A（Tc）35A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.8V，10V3V，5V4.5V，10V5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 12A，10V9.7 毫欧 @ 12A，10V11.7 毫欧 @ 15A，10V15 毫欧 @ 30A，10V19.6 毫欧 @ 45A，10V42 毫欧 @ 5A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V185 毫欧 @ 2.4A，10V250 毫欧 @ 6.5A，10V1.8 欧姆 @ 150mA，5V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA1.2V @ 1mA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 270µA4V @ 42µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 5 V5.2 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V10.6 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V26 nC @ 10 V26 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V87 nC @ 10 V135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.9 pF @ 12 V26 pF @ 10 V50 pF @ 25 V420 pF @ 30 V492 pF @ 25 V560 pF @ 15 V563 pF @ 25 V1850 pF @ 20 V2300 pF @ 50 V3120 pF @ 100 V3168 pF @ 15 V4370 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）390mW（Ta）1W（Ta）1.08W（Ta）1.7W（Ta）2.3W（Ta），30W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）28W（Tc）78W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-SOPPG-TDSON-8-1PG-TO252-3-313PowerPAK® 1212-8SOT-223（TO-261）SOT-23-3SOT-23FTO-263（D2PAK）UMT3F
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8SC-85SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
748,389
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
331,048
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
101,331
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
1.2V @ 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
131,250
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN61D8LQ-13
MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Diodes Incorporated
29,453
现货
160,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
10,000 : ¥1.13178
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
470mA（Ta）
3V，5V
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
2V @ 1mA
0.74 nC @ 5 V
±12V
12.9 pF @ 12 V
-
390mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
onsemi
16,613
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.07684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
10V
185 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
8 POWER WDFN
FDMC8327L
MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
onsemi
11,137
现货
1 : ¥9.44000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.89897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Ta），14A（Tc）
4.5V，10V
9.7 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 20 V
-
2.3W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerPAK 1212-8
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
51,806
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Tc）
4.5V，10V
11.7 毫欧 @ 15A，10V
2.3V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SOP
PJL9415_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,739
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.95662
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 4.5 V
±20V
3168 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PG-TDSON-8-1
BSC196N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Infineon Technologies
52,555
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.96447
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8.5A（Ta），45A（Tc）
10V
19.6 毫欧 @ 45A，10V
4V @ 42µA
34 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD25DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Infineon Technologies
2,218
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.20746
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.5A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 6.5A，10V
4V @ 270µA
10.6 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 30 V
-
28W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263 (D2Pak)
SUM90142E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Vishay Siliconix
77
现货
1 : ¥25.78000
剪切带（CT）
800 : ¥15.58791
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
90A（Tc）
7.5V，10V
15 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
87 nC @ 10 V
±20V
3120 pF @ 100 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。