单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
STripFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.5A（Ta）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 13A，10V33 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 5 V95 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±17V±20V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICTO-220
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
STP40NF10L
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
STMicroelectronics
1,670
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
5V，10V
33 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
64 nC @ 5 V
±17V
2300 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
175°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
8-SOIC
SI4413ADY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO
Vishay Siliconix
1,537
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.00988
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
10.5A（Ta）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
95 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。