单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V55 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）30A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 100A，10V28 毫欧 @ 23A，10V40 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 4.5 V48 nC @ 10 V225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 25 V1890 pF @ 25 V7330 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）120W（Tc）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-223TO-220ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRLL2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Infineon Technologies
5,171
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94377
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
3.8A（Ta）
4V，10V
40 毫欧 @ 3.8A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±16V
870 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-220AB PKG
IRFB7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Infineon Technologies
2,473
现货
1 : ¥10.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO252-3
IRLR2908TRPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Infineon Technologies
2,201
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.78178
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 23A，10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1890 pF @ 25 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。