单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
包装
散装管件
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
280mA（Ta）18A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
140 毫欧 @ 9.3A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 18 V900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）74W（Tc）
供应商器件封装
TO-220ABTO-92
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF9Z30PBF
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Vishay Siliconix
997
现货
1 : ¥20.69000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
18A（Tc）
10V
140 毫欧 @ 9.3A，10V
4V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 25 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥7.14000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。