单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®STripFET™ F6STripFET™ H6STripFET™ IITrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V55 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）11A（Ta），61A（Tc）12A（Tc）12.5A（Ta），50A（Tc）14A（Tc）15.5A（Ta）31A（Tc）35A（Ta）35A（Tc）36A（Tc）50A（Tc）52A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 26A，10V16 毫欧 @ 29A，10V17 毫欧 @ 17.5A，10V18 毫欧 @ 20A，10V25.2 毫欧 @ 12.5A，10V28 毫欧 @ 17.5A，10V29.5 毫欧 @ 18A，10V30 毫欧 @ 18A，10V33 毫欧 @ 10A，10V65 毫欧 @ 16A，10V110 毫欧 @ 12A，10V115 毫欧 @ 12A，10V150 毫欧 @ 7.5A，5V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V17.1 nC @ 10 V20 nC @ 10 V26 nC @ 5 V30 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V52 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V55 nC @ 10 V63 nC @ 10 V75 nC @ 10 V85 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V984.7 pF @ 30 V1185 pF @ 30 V1190 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1700 pF @ 25 V2400 pF @ 20 V2569 pF @ 30 V3200 pF @ 10 V3350 pF @ 25 V3780 pF @ 25 V4700 pF @ 40 V4800 pF @ 25 V5814 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.2W（Ta），56W（Tc）1.7W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）3.2W4.1W（Ta），118W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）50W（Tc）65W（Tc）70W（Tc）80W（Tc）110W（Tc）130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
ATPAKDPAKSOT-23SOT-23-3TO-252-3TO-252（DPAK）TO-252（MP-3ZK）TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
ATPAK（2 引线 + 凸片）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
169,157
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
11,581
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.86090
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Tc）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 12A，10V
2.7V @ 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
166,376
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.73664
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Tc）
4.5V，10V
115 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IRFR5305TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Infineon Technologies
15,359
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.02258
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
31A（Tc）
10V
65 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK_369C
NTD20P06LT4G
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
onsemi
3,693
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65904
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15.5A（Ta）
5V
150 毫欧 @ 7.5A，5V
2V @ 250µA
26 nC @ 5 V
±20V
1190 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
3,352
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.24469
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 17.5A，10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
80W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
ATPAK
ATP113-TL-H
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
onsemi
3,651
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.03212
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Ta）
4V，10V
29.5 毫欧 @ 18A，10V
-
55 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 20 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK（2 引线 + 凸片）
MBRD6100CT-TP
MCU60P06-TP
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Micro Commercial Co
9,656
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.83421
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
5814 pF @ 25 V
-
130W（Tc）
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Vishay Siliconix
5,874
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48377
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
50A（Tc）
4.5V，10V
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK_369C
NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
onsemi
4,759
现货
1 : ¥23.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.61078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
11A（Ta），61A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 29A，10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
4.1W（Ta），118W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMPH6023SK3-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Diodes Incorporated
2,522
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85209
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
3.2W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
3,330
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.55592
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
35A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 17.5A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8,098
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.23060
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 18A，10V
-
52 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta），56W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（MP-3ZK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50P08-25L-BE3
MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Vishay Siliconix
4,118
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48377
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
12.5A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD52P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
STMicroelectronics
4,853
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.58873
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
52A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 26A，10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±20V
3350 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
102,076
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22871
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。