单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.25A（Ta）2.5A（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V170 毫欧 @ 1.25A，10V300 毫欧 @ 2.5A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V13.8 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V430 pF @ 30 V601 pF @ 30 V740 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）500mW（Ta）1.25W（Ta）3W（Ta）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-223-4SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
136,057
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
235
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.14968
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.25A（Ta）
4.5V，10V
170 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
100,923
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
2,800
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。