Name: FDN5618P
Brand: onsemi
SKU: FDN5618PTR-ND
Price: 6.29 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FDN5618P
DigiKey 零件编号	FDN5618PTR-ND - 卷带（TR） FDN5618PCT-ND - 剪切带（CT） FDN5618PDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDN5618P
描述	MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
原厂标准交货期	30 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 1.25A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FDN5618P 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13.8 nC @ 10 V
系列 PowerTrench®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 430 pF @ 30 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
FET 类型 P 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 60 V	供应商器件封装 SOT-23-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.25A（Ta）	封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V	基本产品编号 FDN5618
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 170 毫欧 @ 1.25A，10V