单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-aMOS5™EOptiMOS®-P2OptiMOS™ 5SIPMOS®STripFET™ F7TrenchFET®TrenchFET® Gen VTrenchMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V65 V80 V100 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA(Ta)11A(Tc)13A(Tc)19.7A(Tc)33.6A(Ta),137.5A(Tc)40A(Tc)42A(Tc)45A(Tc)100A(Ta)100A(Tc)110A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V6V,10V7.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.9 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 100A,10V5.6 毫欧 @ 25A,10V6.5 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 50A,10V6.9 毫欧 @ 30A,10V8 毫欧 @ 30A,10V8.4 毫欧 @ 20A,10V10 毫欧 @ 15A,10V10 毫欧 @ 500mA,10V11.2 毫欧 @ 20A,10V18 毫欧 @ 22.5A,10V21 毫欧 @ 7.4A,10V350 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20µA2.1V @ 1mA2.2V @ 340µA2.3V @ 20µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V35 nC @ 5 V53 nC @ 10 V60 nC @ 10 V69 nC @ 10 V88 nC @ 10 V185 nC @ 10 V234 nC @ 10 V240 nC @ 10 V250 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V±10V±15V±18V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
19.1 pF @ 25 V955 pF @ 100 V979 pF @ 25 V1093 pF @ 100 V1640 pF @ 50 V1800 pF @ 30 V2410 pF @ 50 V3020 pF @ 40 V5026 pF @ 25 V5810 pF @ 30 V9200 pF @ 25 V10850 pF @ 40 V11400 pF @ 25 V13000 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta)3.5W(Ta),7.8W(Tc)3.75W(Ta),272W(Tc)3.75W(Ta),375W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)13.6W(Ta),375W(Tc)46W(Tc)60W(Tc)83W(Tc)90W(Tc)125W131W(Tc)136W(Tc)156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICATPAKD2PAKDPAKLFPAK56,Power-SO8PG-SOT323PG-TO263-3-2PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8TO-263(D2PAK)TO-263AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)ATPAK(2 引线 + 凸片)PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SC-70,SOT-323TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak® SO-8
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,134
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62885
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 7.4A,10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
979 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
61,445
现货
1 : ¥30.13000
剪切带(CT)
800 : ¥18.18261
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
6.9 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
345 nC @ 10 V
±20V
11400 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P4L03ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
8,697
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
2.2V @ 340µA
234 nC @ 10 V
+5V,-16V
15000 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Vishay Siliconix
3,125
现货
1 : ¥35.14000
剪切带(CT)
800 : ¥21.22745
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),272W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,437
现货
1 : ¥36.70000
剪切带(CT)
800 : ¥22.15620
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
110A(Tc)
4.5V,10V
11.2 毫欧 @ 20A,10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
ATPAK
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
onsemi
224
现货
1 : ¥41.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.20382
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Ta)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 50A,10V
-
250 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 20 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ATPAK
ATPAK(2 引线 + 凸片)
SOT-323
BSS84PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
Infineon Technologies
29,427
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
150mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2V @ 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19.1 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y7R2-60E,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,570
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.57728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
5V
5.6 毫欧 @ 25A,10V
2.1V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±10V
5026 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPAK-SO-8-Single_Top
SIR5802DP-T1-RE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
3,283
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.71625
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
33.6A(Ta),137.5A(Tc)
7.5V,10V
2.9 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 40 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
1,309
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
800 : ¥6.89630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 5.5A,10V
3.8V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
955 pF @ 100 V
-
131W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
Vishay Siliconix
351
现货
1 : ¥21.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
13A(Tc)
10V
350 毫欧 @ 7.5A,10V
4V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±30V
1093 pF @ 100 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK
MCB110P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Micro Commercial Co
643
现货
1 : ¥33.58000
剪切带(CT)
800 : ¥20.27356
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
110A(Tc)
6V,10V
8.4 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±18V
5810 pF @ 30 V
-
125W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TSDSON-8
BSZ065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.38082
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-SOIC
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.86698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19.7A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 15A,10V
3.3V @ 250µA
69 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 50 V
-
3.5W(Ta),7.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263AB
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
65 V
120A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 250µA
185 nC @ 10 V
±15V
13200 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD47N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.05124
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
45A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 22.5A,10V
4.5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±10V
1640 pF @ 50 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。