单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
STripFET™ F6TrenchFET® Gen IVU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A（Ta）30A（Ta），127A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 5A，10V69 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V22 nC @ 4.5 V130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 15 V2850 pF @ 25 V5950 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）7.4W（Ta），132W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C175°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）PowerFlat™（5x6）PowerPAK® SO-8
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
23,766
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
69 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
150°C
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8 PowerVDFN
STL42P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
STMicroelectronics
17,732
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.54394
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
42A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
PowerPAK-SO-8S-Single
SIRS700DP-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
3,661
现货
1 : ¥27.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥13.18361
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Ta），127A（Tc）
7.5V，10V
3.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5950 pF @ 50 V
-
7.4W（Ta），132W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。