单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
MDmesh™STripFET™ IIIThunderFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V150 V200 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A（Tc）8.5A（Tc）17A（Tc）35.4A（Tc）270A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 80A，10V31.9 毫欧 @ 10A，10V177 毫欧 @ 3A，10V295 毫欧 @ 8.5A，10V530 毫欧 @ 4.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8 nC @ 10 V17 nC @ 10 V38 nC @ 10 V70 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
230 pF @ 75 V644 pF @ 100 V1380 pF @ 100 V2070 pF @ 50 V7500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3.5W（Ta），19W（Tc）70W（Tc）104W（Tc）190W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
10-PowerSOPowerFLAT™（5x5）PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA446DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70
Vishay Siliconix
11,272
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.91409
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
7.7A（Tc）
6V，10V
177 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
230 pF @ 75 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK SO-8
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,504
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.69927
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
35.4A（Tc）
7.5V，10V
31.9 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
1380 pF @ 100 V
-
104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36175
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
D2Pak
STB18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥37.19000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.24263
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
17A（Tc）
10V
295 毫欧 @ 8.5A，10V
5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2070 pF @ 50 V
-
190W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
8PowerVDFN
STL11N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥18.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.49126
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
8.5A（Tc）
10V
530 毫欧 @ 4.25A，10V
5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
644 pF @ 100 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFLAT™（5x5）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。