单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V500 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）8A（Tc）12.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 3A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 150µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.7 nC @ 10 V16.4 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 25 V517 pF @ 400 V1300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
43W（Tc）59.4W（Tc）125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO252-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
106,026
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.96889
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12.5A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,562
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9510PBF
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
1,116
现货
1 : ¥8.78000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4A（Tc）
10V
1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
4V @ 250µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。