单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）5.4A（Tc）10A（Ta）27A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 10A，10V80 毫欧 @ 3.6A，4.5V2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA3.5V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V40 nC @ 10 V56.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 10 V800 pF @ 25 V1550 pF @ 25 V2444 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Tj）2.5W（Ta）3.13W（Ta），158W（Tc）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOPowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
onsemi
50,974
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73768
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1.25W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8 SO
DMP2022LSS-13
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
35,623
现货
337,500
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.23325
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
2.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
1.1V @ 250µA
56.9 nC @ 10 V
±12V
2444 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
PowerPak SO-8L
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
14,779
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20429
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Tc）
10V
30 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ416EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
12,000
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20429
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
27A（Tc）
10V
30 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FQB5N90TM
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
onsemi
1,239
现货
60,800
工厂
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
800 : ¥14.53148
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
900 V
5.4A（Tc）
10V
2.3 欧姆 @ 2.7A，10V
5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
1550 pF @ 25 V
-
3.13W（Ta），158W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。