单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.EPCNexperia USA Inc.
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）70A（Tc）90A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 29A，5V8 毫欧 @ 20A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 13mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V19 nC @ 5 V70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V1940 pF @ 40 V2830 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）78W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-236ABTO-252（DPAK）模具
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
464,481
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33697
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
54,039
现货
1 : ¥53.20000
剪切带（CT）
500 : ¥32.10446
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
90A（Ta）
5V
2.2 毫欧 @ 29A，5V
2.5V @ 13mA
19 nC @ 5 V
+6V，-4V
1940 pF @ 40 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
7,330
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.52848
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±25V
2830 pF @ 15 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。