单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
CoolMOS™ P6MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™OptiMOS™ 6SIPMOS®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
100 V250 V300 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA（Ta）10A（Ta）10A（Tc）10.6A（Tc）25A（Ta）， 230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.24 毫欧 @ 50A， 10V112 毫欧 @ 5A，10V330 毫欧 @ 5A，10V380 毫欧 @ 3.8A，10V500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 8µA3.3V @ 147µA4V @ 250µA4V @ 300µA4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 5 V11 nC @ 10 V19 nC @ 10 V23 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28 pF @ 25 V780 pF @ 25 V877 pF @ 100 V1100 pF @ 100 V6880 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1.6W（Ta），57W（Tc）3W（Ta）， 254W（Tc）83W（Tc）103W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）PG-SOT23PG-TO252-3PG-TSON-8-3TO-252（DPAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Infineon Technologies
4,993
现货
1 : ¥14.28000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.43130
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10.6A（Tc）
10V
380 毫欧 @ 3.8A，10V
4.5V @ 320µA
19 nC @ 10 V
±20V
877 pF @ 100 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
4,191
现货
1 : ¥38.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.75682
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Ta）， 230A（Tc）
8V，10V
2.24 毫欧 @ 50A， 10V
3.3V @ 147µA
91 nC @ 10 V
±20V
6880 pF @ 50 V
-
3W（Ta）， 254W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
SOT-23-3
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
119,894
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.26947
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21mA（Ta）
0V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
1.6V @ 8µA
2.1 nC @ 5 V
±20V
28 pF @ 25 V
耗尽模式
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DPAK
STD10NF30
MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
STMicroelectronics
4,529
现货
1 : ¥11.82000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.87573
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
10A（Tc）
10V
330 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
780 pF @ 25 V
-
103W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
11,587
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.04481
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
10A（Ta）
10V
112 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 300µA
11 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1.6W（Ta），57W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。