Name: ISC022N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 38.04 CNY
Availability: InStock

暗黑模式

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

ISC022N10NM6ATMA1
DigiKey 零件编号	448-ISC022N10NM6ATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISC022N10NM6ATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISC022N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	ISC022N10NM6ATMA1
描述	TRENCH >=100V PG-TSON-8
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 25A（Ta）， 230A（Tc） 3W（Ta）， 254W（Tc） PG-TSON-8-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	ISC022N10NM6ATMA1 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 6
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	25A（Ta）， 230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.24 毫欧 @ 50A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.3V @ 147µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6880 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3W（Ta）， 254W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSON-8-3
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	ISC022N