单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®, StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.3A（Ta）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 100A，10V72 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.9 nC @ 10 V324 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
708 pF @ 15 V10820 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）294W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
187,362
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta）
1.8V，10V
72 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7434TRLPBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
3,886
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
800 : ¥13.49894
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
195A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
3.9V @ 250µA
324 nC @ 10 V
±20V
10820 pF @ 25 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。