单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
154mA（Tj）200mA（Ta）330mA（Ta）410mA（Ta）460mA（Ta）530mA（Ta）600mA（Ta）760mA（Tj）3.5A（Ta）3.7A（Ta）4.2A（Ta）5.6A（Ta）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 5.6A，10V42 毫欧 @ 3A，10V52 毫欧 @ 3.5A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V360 毫欧 @ 350mA，4.5V420 毫欧 @ 500mA，4.5V700 毫欧 @ 350mA，4.5V700 毫欧 @ 600mA，4.5V1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V1.4 欧姆 @ 40mA，10V5 欧姆 @ 200mA，4.5V7 欧姆 @ 154mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4 V2.1 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 8 V2.8 nC @ 10 V7.7 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V10.2 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±12V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V43 pF @ 10 V59.76 pF @ 16 V60 pF @ 10 V80 pF @ 40 V156 pF @ 5 V281 pF @ 10 V343 pF @ 15 V808 pF @ 15 V1173 pF @ 4 V1450 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）220mW（Ta）270mW（Ta）300mW（Tj）313mW（Tj）470mW（Ta）500mW（Ta）625mW（Ta）960mW（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）3.57W（Ta），26.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SC-75，SOT-416SC-89-3SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323SOT-523SSMX1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNPowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323SC-75，SOT-416SC-89，SOT-490SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
391,371
现货
2,814,000
工厂
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42330
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
460mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
210,462
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46914
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
1.5V @ 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
82,928
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80197
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
313mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
69,378
现货
555,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56317
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
NTR2101PT1G
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
onsemi
41,964
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84480
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
1173 pF @ 4 V
-
960mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
413,649
现货
1,620,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41725
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
110,798
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
530mA（Ta）
1.5V，4.5V
420 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
PowerPAK 1212-8
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
19,016
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00874
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
+20V，-16V
1450 pF @ 15 V
-
3.57W（Ta），26.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
462,030
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27052
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
330mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
X2-DFN1006-3
DMN62D1SFB-7B
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Diodes Incorporated
136,261
现货
22,090,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.72617
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
410mA（Ta）
4.5V，10V
1.4 欧姆 @ 40mA，10V
2.3V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 40 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
25,275
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51985
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 5.6A，10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
343 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerTrench Series SC-89-3
FDY301NZ
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.5V，4.5V
5 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
PowerTrench Series SC-89-3
FDY300NZ
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3
onsemi
0
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80281
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.3V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。