单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorVishay Siliconix
系列
-SGT
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1A（Tc）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
140 毫欧 @ 11A，10V366 毫欧 @ 200mA，4.5V670 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.96 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60 pF @ 10 V253 pF @ 50 V1100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）1.4W（Tc）3.7W（Ta），88W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-263（D2PAK）X2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XFDFN
DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Diodes Incorporated
23,666
现货
130,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.46037
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
500mA（Ta）
1.5V，4.5V
366 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.96 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
TO-263AB
IRF9Z34SPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
1,222
现货
1 : ¥15.76000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Tc）
10V
140 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
3.7W（Ta），88W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GT6K2P10IH
GT6K2P10IH
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Goford Semiconductor
2,352
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59366
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tc）
10V
670 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
253 pF @ 50 V
-
1.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。