单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V40 V55 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）210mA（Ta）230mA（Ta）300mA800mA（Ta）4.2A（Ta）4.3A（Ta）5.6A（Ta）6A（Ta）7A（Ta），18A（Tc）12A（Tc）195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.5V，4V4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 20A，10V23 毫欧 @ 7A，10V29 毫欧 @ 3.2A，10V37 毫欧 @ 6A，4.5V44 毫欧 @ 12A，10V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V620 毫欧 @ 600mA，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V4 欧姆 @ 200mA，4.5V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.45V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1mA2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.31 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 10 V4 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V11.3 nC @ 10 V15 nC @ 5 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13 pF @ 5 V21.3 pF @ 10 V28 pF @ 30 V30 pF @ 30 V46 pF @ 15 V450 pF @ 15 V498 pF @ 15 V808 pF @ 15 V830 pF @ 10 V1125 pF @ 20 V1330 pF @ 50 V15870 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）270mW302mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）370mW（Ta），2.2W（Tc）1.3W（Ta）1.4W（Ta）1.8W（Ta）2W（Ta）2.3W（Ta），41W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）294W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）DFN0606-3HUML2020L8Micro3™/SOT-23SOT-223-3SOT-23-3SOT-723TO-236ABTO-252（DPAK）TO-263UMT3
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerUDFN8-PowerWDFNSC-70，SOT-323SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
188,307
现货
882,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54239
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
51,422
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
337,114
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60082
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12A（Tc）
4.5V，10V
44 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-223-3
DMN3032LE-13
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Diodes Incorporated
141,829
现货
1,127,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.60578
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 3.2A，10V
2V @ 250µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
498 pF @ 15 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
138,472
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
230mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
2,816
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37563
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
210mA（Ta）
4.5V
4 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.3V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±10V
30 pF @ 30 V
-
302mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DFN0606-3
PMH600UNEH
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
6,348
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.35520
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
800mA（Ta）
1.2V，4.5V
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.31 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
370mW（Ta），2.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
8-MLP, Power33
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
onsemi
4,427
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.20505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.3W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
RF4P025ATTCR
RF4E060AJTCR
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Rohm Semiconductor
2,249
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.90227
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
2.5V，4.5V
37 毫欧 @ 6A，4.5V
1.5V @ 1mA
4 nC @ 4.5 V
±12V
450 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
HUML2020L8
8-PowerUDFN
SOT 723
MC3541A-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Micro Commercial Co
23,442
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.27026
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300mA
2.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.45V @ 250µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
28 pF @ 30 V
-
270mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
GC11N65M
G080P06M
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Goford Semiconductor
795
现货
1 : ¥15.52000
剪切带（CT）
800 : ¥8.68734
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
195A（Tc）
10V
7.5 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
186 nC @ 10 V
±20V
15870 pF @ 30 V
-
294W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UMT3
2SK3018T106
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Rohm Semiconductor
0
现货
在售
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
UMT3
SC-70，SOT-323
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。