单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）1.1A（Ta）3A（Ta）4.1A（Tc）5.3A（Tc）7A（Tc）100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.7 毫欧 @ 50A，10V42 毫欧 @ 5A，10V95 毫欧 @ 4.5A，10V100 毫欧 @ 3.2A，10V150 毫欧 @ 2.2A，10V230 毫欧 @ 3A，10V1.8 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.3V @ 49µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V22 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V240 pF @ 25 V350 pF @ 30 V708 pF @ 30 V720 pF @ 30 V1000 pF @ 30 V1100 pF @ 30 V4400 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
470mW（Ta）600mW（Ta）1.2W（Ta）2W（Ta），3.3W（Tc）5W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPG-TDSON-8-7SOT-223-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC027N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
13,932
现货
1 : ¥20.20000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.78074
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-23-3
BSN20-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
486,015
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51312
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
4.5V，10V
1.8 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVR5124PLT1G
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
onsemi
4,264
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
230 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodes Incorporated
18,370
现货
1,195,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.28422
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
150 毫欧 @ 2.2A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
708 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
Pkg 5540
SI3458BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
33,517
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.1A（Tc）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 30 V
-
2W（Ta），3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
17,384
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05835
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.3A（Tc）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 30 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SQ3426AEEV-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Vishay Siliconix
2,983
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.10561
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SQ3426EV-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
720 pF @ 30 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。