单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA(Ta)200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 20A,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 5 V260 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36 pF @ 25 V13500 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
340mW(Ta),2.7W(Tc)150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8SOT-883
封装/外壳
PowerPAK® 8 x 8SC-101,SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-101 SOT-883
BSS84AKM,315
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
43,385
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.44525
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
230mA(Ta)
10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
340mW(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
PowerPAK 8 x 8
SQJQ402E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.11740
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
200A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 20 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。