单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta),100A(Tc)100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.1 毫欧 @ 50A,10V5.7 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA3.5V @ 73µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
56 nC @ 10 V230 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3900 pF @ 40 V9500 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),170W(Tc)2.5W(Ta),114W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance(5x5)PG-TDSON-8-5
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-5
BSC057N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Infineon Technologies
11,147
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.83481
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
16A(Ta),100A(Tc)
6V,10V
5.7 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 73µA
56 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),114W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
5,920
现货
1 : ¥17.08000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.41442
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Ta)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 1mA
230 nC @ 10 V
+10V,-20V
9500 pF @ 10 V
-
960mW(Ta),170W(Tc)
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。