Name: XPH3R114MC,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND
Price: 17.08 CNY
Availability: InStock

XPH3R114MC,L1XHQ
DigiKey 零件编号	264-XPH3R114MCL1XHQTR-ND - 卷带（TR） 264-XPH3R114MCL1XHQCT-ND - 剪切带（CT） 264-XPH3R114MCL1XHQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	XPH3R114MC,L1XHQ
描述	MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
原厂标准交货期	32 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 40 V 100A（Ta） 960mW（Ta），170W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	XPH3R114MC,L1XHQ 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	230 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+10V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	9500 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	XPH3R114