单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
55 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA（Ta）28A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 10.2A，10V650 毫欧 @ 270mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 2.7µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.26 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 25 V4700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）5.2W（Ta），83.3W（Tc）
供应商器件封装
PG-SOT23PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
19,685
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
540mA（Ta）
4.5V，10V
650 毫欧 @ 270mA，10V
2V @ 2.7µA
2.26 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
175
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48435
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。