单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Ta)2.4A(Ta)7.6A(Ta)8.4A(Ta),32A(Tc)16A(Tc)18A(Tc)19A(Tc)21A(Ta)21A(Ta),78A(Tc)23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 35A,10V9.5 毫欧 @ 10A,10V27 毫欧 @ 8.4A,10V29 毫欧 @ 7.6A,10V35 毫欧 @ 7.6A,10V52 毫欧 @ 10A,10V55 毫欧 @ 2.4A,4.5V74 毫欧 @ 19A,10V77 毫欧 @ 12A,10V185 毫欧 @ 2.4A,10V260 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 10 V7 nC @ 5 V11 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V14.3 nC @ 10 V23 nC @ 10 V27 nC @ 5 V30.5 nC @ 10 V35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
250 pF @ 25 V462 pF @ 15 V492 pF @ 25 V765 pF @ 75 V882 pF @ 10 V1000 pF @ 25 V1024 pF @ 25 V1025 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V2380 pF @ 20 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)1W(Ta)2.5W(Ta)3W(Ta),18W(Tc)3.6W(Ta),50W(Tc)28W(Ta)41W(Tc)56.8W(Tc)69W(Tc)71W(Tc)83W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-SOIC8-WDFN(3.3x3.3)DPAKPowerPAK® 1212-8SOT-223(TO-261)SOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDN302P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
22,270
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11731
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.4A(Ta)
2.5V,4.5V
55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
882 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223 (TO-261)
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
onsemi
13,659
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.07711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.7A(Ta)
10V
185 毫欧 @ 2.4A,10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
TO-252AA
FDD4685
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
onsemi
10,255
现货
1 : ¥11.74000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.86133
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.4A(Ta),32A(Tc)
4.5V,10V
27 毫欧 @ 8.4A,10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
2380 pF @ 20 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,618
现货
1 : ¥12.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.28575
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
7.6A(Ta)
6V,10V
29 毫欧 @ 7.6A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
onsemi
2,505
现货
1 : ¥15.93000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.16840
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
4.5V,10V
52 毫欧 @ 10A,10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1024 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-WDFN
NVTFS5124PLTAG
MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
onsemi
2,835
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.70515
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.4A(Ta)
4.5V,10V
260 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
3W(Ta),18W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-252AA
FDD770N15A
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
onsemi
3,745
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.74870
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
18A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
765 pF @ 75 V
-
56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
onsemi
6,799
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.35310
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
19A(Tc)
4.5V,10V
74 毫欧 @ 19A,10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1000 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,764
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91421
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
16A(Tc)
4.5V,10V
9.5 毫欧 @ 10A,10V
2.3V @ 250µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
1025 pF @ 15 V
肖特基二极管(体)
41W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
942
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.89491
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
21A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 35A,10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-252AA
FDD6630A
MOSFET N-CH 30V 21A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
21A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 7.6A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
462 pF @ 15 V
-
28W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。