单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-G3R™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V200 V800 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.2A（Ta），45A（Tc）11A（Tc）15A（Ta），63A（Tc）21A（Tc）35A（Tc）62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 9A，10V14.4 毫欧 @ 15A，10V23 毫欧 @ 35A，10V26 毫欧 @ 46A，10V184 毫欧 @ 10A，10V420 毫欧 @ 4A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 50µA2.69V @ 2mA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 78µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 15 V12.4 nC @ 10 V13 nC @ 10 V17 nC @ 10 V89 nC @ 10 V98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
334 pF @ 800 V800 pF @ 50 V965 pF @ 50 V1230 pF @ 25 V1836 pF @ 100 V4600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.7W（Ta），62W（Tc）3.2W（Ta），56W（Tc）50W（Tc）74W（Tc）208W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-LFPAK8-WDFN（3.3x3.3）D2PAKTO-247-3TO-252TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerWDFNSOT-1205，8-LFPAK56TO-247-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4227TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Infineon Technologies
5,094
现货
1 : ¥31.77000
剪切带（CT）
800 : ¥19.19489
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
62A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 46A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
488~511DY~~8-Top
NTTFS012N10MDTAG
PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
onsemi
4,885
现货
12,000
工厂
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.83251
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
9.2A（Ta），45A（Tc）
6V，10V
14.4 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 78µA
13 nC @ 10 V
±20V
965 pF @ 50 V
-
2.7W（Ta），62W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
RB098BM-40FNSTL
RD3P03BBHTL1
NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
Rohm Semiconductor
2,142
现货
1 : ¥13.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.25307
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
35A（Tc）
6V，10V
23 毫欧 @ 35A，10V
4V @ 1mA
12.4 nC @ 10 V
±20V
800 pF @ 50 V
-
50W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,518
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
11A（Tc）
15V
420 毫欧 @ 4A，15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SIHB24N80AE-GE3
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Vishay Siliconix
579
现货
1 : ¥28.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
21A（Tc）
-
184 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
89 nC @ 10 V
±30V
1836 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LFPAK8
NVTYS008N06CLTWG
T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
onsemi
2,825
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.63098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta），63A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 50µA
17 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 25 V
-
3.2W（Ta），56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-LFPAK
SOT-1205，8-LFPAK56
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。