单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
EPCToshiba Semiconductor and Storage
系列
eGaN®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
43 毫欧 @ 1A，5V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V4.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V573 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3模具
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
545,974
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.30635
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
200 V
3A（Ta）
5V
43 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 1mA
4.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
573 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。