单 FET，MOSFET

结果 : 19
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoonsemiTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V25 V30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）2.7A（Ta），3.6A（Tc）5A（Tc）15A（Ta）21A（Ta），60A（Tc）31A（Ta），100A（Tc）32A（Ta），100A（Tc）34A（Ta），85A（Tc）35A35A（Ta）40A（Tc）50A（Tc）60A（Ta）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，8V3V，8V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 30A，8V2.3 毫欧 @ 25A，10V2.4 毫欧 @ 25A，8V3.3 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 21A，4.5V4.5 毫欧 @ 20A，8V4.5 毫欧 @ 24A，8V4.8 毫欧 @ 15A，4.5V4.8 毫欧 @ 16A，10V5.2 毫欧 @ 15A，10V6.4 毫欧 @ 16A，10V6.5 毫欧 @ 10A，4.5V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.1V @ 50µA1.15V @ 250µA1.4V @ 250µA1.55V @ 250µA1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA2.3V @ 36µA2.5V @ 250µA3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.81 nC @ 5 V2.8 nC @ 4.5 V6.6 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V14.1 nC @ 4.5 V19 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V26.6 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V31 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26.7 pF @ 25 V340 pF @ 12.5 V650 pF @ 20 V1257 pF @ 20 V1300 pF @ 12.5 V1350 pF @ 12.5 V1790 pF @ 10 V2120 pF @ 10 V2310 pF @ 15 V2385 pF @ 6 V3100 pF @ 12.5 V3100 pF @ 30 V3420 pF @ 15 V3770 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
300mW（Tj）1W（Ta），1.7W（Tc）2.1W（Ta）2.3W（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）2.8W（Ta），53W（Tc）2.8W（Ta），69W（Tc）2.8W（Ta），96W（Tc）3W（Ta）3.1W（Ta）3.2W（Ta）3.3W（Ta），125W（Tc）5W（Ta），48W（Tc）7.4W（Ta），208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
6-SON8-DFN（5x6）8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（3x3.3）8-VSONP（5x6）DFN3333PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）TO-252AA (DPAK)U-DFN2020-6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线6-UDFN 裸露焊盘8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-VDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果
显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
460,858
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
2.5V @ 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
8,703
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34439
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
64,101
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27357
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,622
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.71769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.2 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
51,773
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98843
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
TO252-3
IRLR6225TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Infineon Technologies
5,260
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.65931
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100A（Tc）
2.5V，4.5V
4 毫欧 @ 21A，4.5V
1.1V @ 50µA
72 nC @ 4.5 V
±12V
3770 pF @ 10 V
-
63W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD16321Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Texas Instruments
11,605
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.91118
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
31A（Ta），100A（Tc）
3V，8V
2.4 毫欧 @ 25A，8V
1.4V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
3100 pF @ 12.5 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
61,960
现货
1 : ¥13.22000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.73141
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19531Q5A
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
4,137
现货
1 : ¥13.96000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.28614
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Tc）
6V，10V
6.4 毫欧 @ 16A，10V
3.3V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
3.3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-DFN
AON6278
MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
30,196
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.52846
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
34A（Ta），85A（Tc）
6V，10V
3.3 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 250µA
86 nC @ 10 V
±20V
4646 pF @ 40 V
-
7.4W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
MCG30N03A-TP
MCG35P04-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
10,621
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.18991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A
4.5V，10V
25 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
26.6 nC @ 10 V
±20V
1257 pF @ 20 V
-
38W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SI2319DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
26,729
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.7A（Ta），3.6A（Tc）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 2.7A，10V
2.5V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-VSONP
CSD17577Q3A
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Texas Instruments
19,021
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.96147
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Ta）
4.5V，10V
4.8 毫欧 @ 16A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
CSD16323Q3
CSD16323Q3
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Texas Instruments
5,213
现货
1 : ¥9.20000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.81503
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
21A（Ta），60A（Tc）
3V，8V
4.5 毫欧 @ 24A，8V
1.4V @ 250µA
8.4 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1300 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17303Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
5,169
现货
1 : ¥13.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.21996
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），100A（Tc）
3V，8V
2.4 毫欧 @ 25A，8V
1.6V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
3420 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
3,705
现货
7,687
市场
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.09882
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），100A（Tc）
3V，8V
2 毫欧 @ 30A，8V
1.6V @ 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
4280 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD25404Q3T
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Texas Instruments
8,704
现货
1 : ¥10.92000
剪切带（CT）
250 : ¥4.82544
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
104A（Tc）
1.8V，4.5V
6.5 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
14.1 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
CSD16340Q3T
MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON
Texas Instruments
2,725
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
250 : ¥7.14028
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
60A（Tc）
2.5V，8V
4.5 毫欧 @ 20A，8V
1.1V @ 250µA
9.2 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1350 pF @ 12.5 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
U-DFN2020-6 Type F
DMN1004UFDF-7
MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,460
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48358
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
15A（Ta）
2.5V，4.5V
4.8 毫欧 @ 15A，4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±8V
2385 pF @ 6 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 19

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。