单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V45 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Ta）36A（Tc）40A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 50A，10V6.6 毫欧 @ 20A，10V44 毫欧 @ 18A，10V46 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 49µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.4 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V48 nC @ 10 V74 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1287 pF @ 25 V1785 pF @ 20 V1800 pF @ 25 V4400 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）3.8W（Ta），140W（Tc）5W（Ta），34.7W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8PowerPAK® SO-8TSOT-26
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSOT-26
DMN4060SVT-7
MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
Diodes Incorporated
36,754
现货
42,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94082
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
4.8A（Ta）
4.5V，10V
46 毫欧 @ 4.3A，10V
3V @ 250µA
22.4 nC @ 10 V
±20V
1287 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
PowerPAK SO-8
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
50,963
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84830
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1785 pF @ 20 V
-
5W（Ta），34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
41,217
现货
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
800 : ¥8.80006
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
36A（Tc）
4V，10V
44 毫欧 @ 18A，10V
2V @ 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
3.8W（Ta），140W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSC0805LSATMA1
BSC0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Infineon Technologies
17,482
现货
1 : ¥14.29000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.20266
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。