单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V80 V240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）270mA（Ta）14A（Ta），20A（Tc）23A（Ta），100A（Tc）110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 50A，10V6.7 毫欧 @ 20A，10V11.2 毫欧 @ 20A，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V11 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.2V @ 35µA2.2V @ 93µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.7 nC @ 10 V67 nC @ 10 V175 nC @ 10 V270 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V76.8 pF @ 25 V5100 pF @ 30 V10850 pF @ 40 V13000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）750mW（Ta）2.1W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），139W（Tc）13.6W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
135,414
现货
996,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-TSDSON
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON
Infineon Technologies
13,116
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60718
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
14A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
6.7 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 35µA
67 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 30 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC028N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Infineon Technologies
10,920
现货
1 : ¥23.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.13875
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
23A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 93µA
175 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM110P08-11L-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Vishay Siliconix
46,437
现货
1 : ¥36.70000
剪切带（CT）
800 : ¥22.15620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
110A（Tc）
4.5V，10V
11.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±20V
10850 pF @ 40 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
DMN24H11DS-7
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,200
现货
300,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20715
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
270mA（Ta）
4.5V，10V
11 欧姆 @ 300mA，10V
3V @ 250µA
3.7 nC @ 10 V
±20V
76.8 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。