单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）14.5A（Ta），40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V32 毫欧 @ 5.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V53 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 6 V4195 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）3.1W（Ta），29W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7407
MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
118,631
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.62523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14.5A（Ta），40A（Tc）
1.8V，4.5V
9.5 毫欧 @ 14A，4.5V
900mV @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±8V
4195 pF @ 10 V
-
3.1W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
45,261
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.1A（Ta）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 5.3A，4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。