单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)5A(Ta)8.6A(Ta)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V45 毫欧 @ 4A,4.5V75 毫欧 @ 21.5A,10V92 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1.4V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.6 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V48 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
620 pF @ 10 V940 pF @ 10 V1535 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.9W(Ta)125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-3PowerPAK® SO-8SOT-23-3
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式PowerPAK® SO-8TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3423
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
87,569
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68272
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Ta)
2.5V,10V
92 毫欧 @ 2A,10V
1.4V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
±12V
620 pF @ 10 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
26,607
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.54421
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
AO3415A
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
176,474
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5A(Ta)
1.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±8V
940 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TO252-3
SPD30P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Infineon Technologies
15,174
现货
1 : ¥14.04000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.31552
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 21.5A,10V
4V @ 1.7mA
48 nC @ 10 V
±20V
1535 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。