Name: SPD30P06PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD30P06PGBTMA1TR-ND
Price: 15.96 CNY
Availability: InStock

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SPD30P06PGBTMA1
DigiKey 零件编号	SPD30P06PGBTMA1TR-ND - 卷带（TR） SPD30P06PGBTMA1CT-ND - 剪切带（CT） SPD30P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	SPD30P06PGBTMA1
描述	MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SPD30P06PGBTMA1 型号

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48 nC @ 10 V
制造商 Infineon Technologies	Vgs（最大值） ±20V
系列 SIPMOS®	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1535 pF @ 25 V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	功率耗散（最大值） 125W（Tc）
零件状态最后售卖	工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）
FET 类型 P 通道	等级汽车级
技术 MOSFET（金属氧化物）	资质 AEC-Q101
漏源电压（Vdss） 60 V	安装类型表面贴装型
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Tc）	供应商器件封装 PG-TO252-3
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 75 毫欧 @ 21.5A，10V	基本产品编号 SPD30P06
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1.7mA

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替代品 (5)

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