单 FET,MOSFET

结果 : 16
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)115mA(Tc)130mA(Ta)180mA(Ta)185mA(Ta)200mA(Ta)220mA(Ta)280mA(Ta)320mA(Ta)500mA(Ta)1.25A(Ta)1.5A(Ta)1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.75V,5V4.5V,10V5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V110 毫欧 @ 2.5A,10V170 毫欧 @ 1.25A,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V1.8 欧姆 @ 220mA,10V2 欧姆 @ 500mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V3.5 欧姆 @ 200mA,5V6 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V7.5 欧姆 @ 500mA,10V8 欧姆 @ 150mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 5 V0.7 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 10 V1.3 nC @ 5 V1.7 nC @ 15 V2.4 nC @ 10 V7 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V13.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23 pF @ 25 V24.5 pF @ 20 V27 pF @ 25 V30 pF @ 5 V36 pF @ 25 V40 pF @ 10 V50 pF @ 25 V73 pF @ 25 V250 pF @ 24 V430 pF @ 30 V675 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)225mW225mW(Ta)300mW(Ta)350mW(Ta)350mW(Ta),1.14W(Tc)420mW(Ta)500mW(Ta)600mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果

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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
77,144
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29870
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
671,443
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31337
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
180mA(Ta)
10V
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW(Ta),1.14W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
413,995
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37018
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Tc)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
215,703
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49738
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
280mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
126,804
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49900
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
4.5V,10V
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
80,784
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50762
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
68,634
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71689
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
675 pF @ 10 V
-
420mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
onsemi
235
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14968
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.25A(Ta)
4.5V,10V
170 毫欧 @ 1.25A,10V
3V @ 250µA
13.8 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 30 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
124,394
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98625
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
881,658
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04982
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
185mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
127,063
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06411
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSN20-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
486,508
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51312
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
500mA(Ta)
4.5V,10V
1.8 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4503NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
onsemi
13,435
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.92005
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.5A(Ta)
4.5V,10V
110 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 24 V
-
420mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
GSFKW0202
BSS84
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
39,236
现货
1 : ¥1.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.21567
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V,10V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
218,954
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138L
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48378
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
2.75V,5V
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
1.5V @ 1mA
2.4 nC @ 10 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 16

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。